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2SC2383(TO-92L)

更新时间： 2024-02-24 12:28:27

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	303K
描述
Transistor

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2SC2383(TO-92L) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	750 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2383(TO-92L) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92L

2SC2383

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

High Voltage: V_CEO=160V

Large Continuous Collector Current Capability

Complementary to 2SA1013

MAXIMUM RATINGS (T^a=25 ℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

160

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

160

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.75

℃

T_J

150

T_stg

Storage Temperature

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= 100μA , I_E=0

I_C= 10mA, I_B=0

Min

160

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E= 10μA, I_C=0

V_CB=150V, I_E=0

μA

Collector cut-off current

I_CER

V_CB=150V,R_EB= 10MΩ

V_EB=6V, I_C=0

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE1

V_CE=5V, I_C=200mA

V_CE=5V, I_C=10mA

I_C=500m A, I_B=50mA

I_C=5mA, V_CE= 5V

V_CE=5V, I_C=200mA

320

DC current gain

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

0.75

Transition frequency

f _T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE1

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

A,Jun,2011

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