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2SC2368

更新时间: 2024-01-10 12:25:24
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2SC2368 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:14 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2800 MHzBase Number Matches:1

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