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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC1215
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2SC1215

更新时间： 2024-09-22 21:55:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type

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2SC1215 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1200 MHzBase Number Matches：1

2SC1215 数据手册

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Transistor  
2SC1215  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For high-frequency (VHF band) amplification and oscillation  
Unit: mm  
4.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
High transition frequency fT.  
■
●
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
0.45–+00..12  
0.45–+00..12  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
30  
1.27  
1.27  
20  
V
3
50  
V
mA  
mW  
˚C  
1 2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
2.54±0.15  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
IC =100µA, IE = 0  
30  
3
VEBO  
hFE  
IE = 10µA, IC = 0  
V
VCB = 10V, IE = –2mA  
VCB = 10V, IE = –2mA  
25  
VBE  
0.72  
0.1  
1
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10mA, IB = 1mA  
Common emitter reverse transfer capacitance Cre  
*
VCE = 10V, IC = 1mA, f = 10.7MHz  
VCB = 10V, IE = –15mA, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 450kHz  
1.5  
pF  
Transition frequency  
Power gain  
fT  
600  
1200  
20  
1600  
MHz  
dB  
ps  
PG  
Base time constant  
rbb' · CC  
25  
*fT Rank classification  
Rank  
T
S
fT(MHz)  
600 ~ 1300 900 ~ 1600  
1
123

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