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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1222E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC1222F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC1222U | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC1226 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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| 2SC1226 | NJSEMI |
获取价格 |
Si NPN Power HF BJT |
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| 2SC1226 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1226 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1226A | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC1226A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
|
| 2SC1226A | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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