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2SB772-GR-BP-HF

更新时间： 2024-11-18 20:41:35

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美微科 - MCC		/
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Power Bipolar Transistor,

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2SB772-GR-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SB772-GR-BP-HF 数据手册

2SB772-R

2SB772-O

2SB772-Y

2SB772-GR

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.

Collector-current 3.0A

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =10mAdc, I =0)

ꢀ

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V _CB=40Vdc, I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V _CE=30Vdc, I_B=0)

---

Vdc

ꢀ

1.0

uAdc

I_CEO

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V _EB=6.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h _FE(1)

DC Current Gain

(I =1.0Adc, V_CE=2.0Vdc)

DC Current Gain

---

400

---

h _FE(2)

(I =100mAdc, V_CE=2.0Vdc)

---

V _CE(sat)

V _BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=2.0Adc, I_B=0.2Adc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I _C=2.0Adc, I_B=0.2Adc)

0.5

2.0

Vdc

---

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

EMITTER

COLLECTOR

BASE

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f _T

Transistor Frequency

DIMENSIONS

(I _C=0.1Adc, V_CE=5.0Vdc, f=10MHz)

---

MHz

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

ꢇꢇꢆ

ꢈꢀꢇꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

7.40

10.60

15.30

3.90

3.00

0.66

1.17

ꢇꢉꢊꢆ

ꢁꢋꢌꢄꢆ

CLASSIFICATION OF HFE (1)

ꢉꢆ

ꢍ

0.291

0.417

0.602

ꢎꢏꢐꢑ4

0.118

0.026

0.046

0.307ꢆ

0.433

0.618

ꢎꢏꢐꢒ1

0.126

0.034

0.054

7.80

11.00

15.70

4.10

3.20

0.86

1.37

Rank

Range

200-400

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

ꢓ

60-120

100-200

160-320

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

ꢔ

ꢕꢆ

0.090TYP

0.098

2.290TYP

2.50

ꢖꢆ

0.114

2.90

0.083

0.000

0.043

0.091

0.012

0.059

2.10

0.00

1.10

2.30

0.30

1.50

0.018

0.024

0.45

0.60

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB772GR-G	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
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2SB772G-X-T6C-K	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-T9N-B	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-T9N-K	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-T9N-R	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-TM3-T	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-TN3-R	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772G-X-TN3-T	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB772I	FOSHAN	获取价格	TO-251

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