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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1451S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1452 | SANYO |
获取价格 |
80V/7A Switching Applications |
|
| 2SB1452Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1452S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1453 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SB1453-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1454 | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1454 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SB1454 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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