5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1452R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1452S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1453 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SB1453-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1454 | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1454 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SB1454 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1454 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML |
|
| 2SB1454Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SB1454R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
