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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1333B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SB1333C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
|
| 2SB1333T105 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1333T105A | ROHM |
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暂无描述 |
|
| 2SB1333T105B | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1334 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB1334 | ROHM |
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EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB1334/D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SB1334/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SB1334/DF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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