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2SB1329T105Q

更新时间: 2024-11-20 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1329T105Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

2SB1329T105Q 数据手册

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