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2SB1276TL3/QS

更新时间: 2024-11-01 14:27:19
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB1276TL3/QS 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SB1276TL3/QS 数据手册

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