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2SB0934Q

更新时间: 2024-01-12 19:38:09
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-221VAR

2SB0934Q 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):130JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2SB0934Q 数据手册

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Power Transistor  
2SB0934  
PC — Ta  
IC — VCE  
VCE(sat) — IC  
50  
–2.0  
–1.6  
–1.2  
– 0.8  
– 0.4  
0
–100  
IC/IB=20  
TC=25˚C  
(1) TC=Ta  
(2) With a 50 × 50 × 2mm  
Al heat sink  
(3) Without heat sink  
(PC=1.3W)  
IB=–120mA  
–30  
–10  
–110mA  
–100mA  
–90mA  
40  
30  
20  
10  
0
(1)  
–80mA  
–70mA  
–60mA  
–3  
–1  
–40mA  
–30mA  
– 0.3  
– 0.1  
TC=100˚C  
–20mA  
–10mA  
–25˚C  
25˚C  
(2)  
(3)  
– 0.03  
– 0.01  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–10  
– 0.1 – 0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
(
)
(
V
)
( )  
Collector current IC A  
Ambient temperature Ta ˚C  
Collector to emitter voltage VCE  
VBE(sat) — IC  
hFE — IC  
fT — IC  
–100  
10000  
10000  
IC/IB=20  
VCE=–2V  
VCE=–10V  
f=10MHz  
TC=25˚C  
–30  
–10  
3000  
3000  
1000  
1000  
25˚C  
–3  
–1  
300  
100  
300  
100  
TC=100˚C  
–25˚C  
TC=–25˚C  
100˚C  
25˚C  
– 0.3  
– 0.1  
30  
10  
30  
10  
– 0.03  
– 0.01  
3
1
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3  
–1  
–3  
–10  
– 0.1 – 0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3  
–1  
–3  
–10  
( )  
A
(
A
)
( )  
Collector current IC A  
Collector current IC  
Collector current IC  
Cob — IC  
ton, tstg, tf — IC  
Area of safe operation (ASO)  
10000  
100  
–100  
IE=0  
f=1MHz  
TC=25˚C  
Pulsed tw=1ms  
Duty cycle=1%  
IC/IB=10  
Non repetitive pulse  
TC=25˚C  
3000  
1000  
30  
10  
–30  
–10  
ICP  
(–IB1=IB2  
CC=–50V  
TC=25˚C  
)
t=0.5ms  
1ms  
V
IC  
300  
100  
3
1
–3  
–1  
10ms  
tstg  
300ms  
30  
10  
0.3  
0.1  
– 0.3  
– 0.1  
ton  
tf  
3
1
0.03  
0.01  
– 0.03  
– 0.01  
– 0.1 – 0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
0
–2  
–4  
–6  
–8  
–1  
–3  
–10 –30 –100 –300 –1000  
( )  
V
(
A
)
( )  
Collector to emitter voltage VCE V  
Collector to base voltage VCB  
Collector current IC  
2

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