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2SB0930AQ

更新时间： 2024-02-08 22:21:54

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3页	56K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-262VAR

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2SB0930AQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0930AQ 数据手册

Power Transistor

2SB0930, 2SB0930A

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— V_BE

–6

–5

–4

–3

–2

–1

–10

T_C=25˚C

V_CE=–4V

(1) T_C=Ta

(2) With a 50 × 50 × 2mm

Al heat sink

(3) Without heat sink

(P_C=1.3W)

I_B=–120mA

–100mA

–80mA

–60mA

–8

–6

–4

–2

(1)

25˚C

–25˚C

T_C=100˚C

–40mA

–20mA

–10mA

–8mA

–5mA

(2)

(3)

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10 –12

– 0.4 – 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

(

)

( )

Base to emitter voltage V_BEV

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

V_CE(sat)— I_C

h_FE— I_C

f_T— I_C

–100

10000

I_C/I_B=10

V_CE=–4V

V_CE=–5V

f=1MHz

T_C=25˚C

–30

–10

3000

1000

25˚C

–3

–1

300

100

300

100

T_C=100˚C

–25˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

T_C=100˚C

–25˚C

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

Area of safe operation (ASO)

R_th(t)— t

–100

10³

10²

(1) Without heat sink

(2) With a 50 × 50 × 2mm Al heat sink

Non repetitive pulse

T_C=25˚C

–30

–10

(1)

(2)

I_CP

I_C

t=1ms

–3

–1

10ms

300ms

– 0.3

– 0.1

10^–1

10^–2

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

10^–4

10^–3

10^–2

10^–1

10²

10³

10⁴

( )

Collector to emitter voltage V_CE

Time

123

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