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2SA950

更新时间： 2024-02-23 10:25:37
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 339K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SA950 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SA950 数据手册

 浏览型号2SA950的Datasheet PDF文件第2页 
2SA950  
-0.8A , -35V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
1W output applications  
Complementary to 2SC2120  
G
H
Emitter  
Collector  
Base  
J
CLASSIFICATION OF hFE (1)  
A
D
Millimeter  
REF.  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
Product-Rank 2SA950-O  
2SA950-Y  
160-320  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
B
Range  
100-200  
K
E
1.27 TYP.  
C
F
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-35  
-30  
-5  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
-0.8  
600  
A
PC  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-35  
-30  
-5  
-
-
-
-
V
V
IC= -0.1mA, IE=0  
-
IC= -10mA, IB=0  
-
-
V
IE= -0.1mA, IC=0  
-
-0.1  
-0.1  
320  
-
μA  
μA  
VCB= -35V, IE=0  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
VEB= -5V, IC=0  
hFE (1)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE  
100  
35  
-
-
-
VCE= -1V, IC= -100mA  
VCE= -1V, IC= -700mA  
IC= -500mA, IB= -20mA  
VCE= -1V, IC= -10mA  
DC Current Gain  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-
-0.7  
-0.8  
-
V
V
-0.5  
-
-
Transition Frequency  
fT  
120  
19  
MHz VCE= -5V, IC= -10mA  
pF VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
Cob  
-
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Feb-2011 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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