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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA916-K-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA916L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SA916-L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA916-L-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA916M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SA916-M | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA916-M-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA92 | ETC |
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High voltage transistors |
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| 2SA921 | PANASONIC |
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For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary |
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| 2SA921R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-92 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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