5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA916M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SA916-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA916-M-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA92 | ETC |
获取价格 |
High voltage transistors |
|
| 2SA921 | PANASONIC |
获取价格 |
For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary |
|
| 2SA921R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SA921S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SA921T | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SA928 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SA928 | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
