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2SA836

更新时间： 2025-09-22 18:54:31

品牌	Logo	应用领域
南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
5页	1674K
描述
Pcm(mW) : 200; Ic(mA) : 0.1; BVCBO(V) : 55; BVCEO(V) : 55; BVEBO(V) : 5; Min : 160; Max : 500; VCE (sat) (v) : 0.5; Package Outline : TO-92;

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DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

TO – 92

2SA836 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

ꢀ

ꢀ

High DC Current Gain

Low Frequency Amplifier

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

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ꢉꢊꢋ$%&

ꢆꢇ!

1000pcs/Bag

2000pcs/Box

ꢉꢊꢋ$%&ꢌꢍꢋ

T#ꢈꢅ

MAXIMUM RATINGS (T_a=25ꢀ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-55

Unit

V

V

Collector-Emitter Voltage

-55

Emitter-Base Voltage

-5

V

Collector Current

-0.1

A

P_C

Collector Power Dissipation

200

mW

ꢀ /W

ꢀ

R_%JA

T_J,T_stg

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

625

-55~+150

1/5

Dongguan Nanjing Electronics Ltd.

www.dgnjdz.com

12 3 4 5

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与2SA836相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA836-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA836-D	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA836C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAKVAR
2SA836CRF	RENESAS	获取价格	100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SA836CRR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA836CTZ	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial
2SA836D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAKVAR
2SA836DRF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SA836DRF	RENESAS	获取价格	100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SA836DRR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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