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2SA608SPAG

更新时间: 2024-01-17 04:00:02
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 264K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK

2SA608SPAG 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):280
JESD-609代码:e0最高工作温度:125 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.4 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SA608SPAG 数据手册

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