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2SA634

更新时间： 2024-02-06 18:01:59

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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1页	113K
描述
Silicon PNP Transistors

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2SA634 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84

2SA634 数据手册

Power Transistors

www.jmnic.com

2SA634

Silicon PNP Transistors

B C E

ꢀFeatures

﹒With TO-220 package

ꢀAbsolute Maximum Ratings Tc=25

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

PARAMETER

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Base collector current

Collector current

RATING

UNIT

5.0

I_C

3.0

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

-55~+150

TO-220

ꢀElectrical Characteristics Tc=25

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base cut-off current

Emitter-base cut-off current

CONDITIONS

V_CB=40V; I_E=0

MIN

TYPE

MAX

200

UNIT

I_CBO

I_EBO

V_EB=5.0V; I_C=0

V_CE=40V; I_B=0

200

I_CEO

V_CBO

Collector-emitter cut-off current

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter sustaining voltage

0.5

V_CEO(SUS)

I_C=1mA; I_B=0

I_E=1mA; Ic=0

I_C=3A; I_B=0.3A

V_EBO

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltages

V_CE(sat-1)

V_CE(sat-2)

1.0

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

V_BE(sat)1

f_T

Forward current transfer ratio

Base-emitter stauration voltages

Transition frepuency

I_C=1A; V_CE=5V

I_C=3A; I_B=0.3A

1.5

C_ob

Output Capacitance

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