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2SA626

更新时间： 2022-12-18 10:40:01

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA626 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA626

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Wide area of safe operation

·High current capability:I_C=-6A

APPLICATIONS

·For audio frequency output applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

Open emitter

Open base

-80

Open collector

-6

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-10

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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