2SA614

更新时间： 2024-02-04 00:28:37

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA614 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	25 W	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SA614 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA614

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -55V (Min.)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.5V (Max.)@ I_C= -1A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W@ T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for medium power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-80

UNIT

-55

-5

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-3

P_C

℃

T_J

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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