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| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.42 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA2120-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General |
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| 2SA2121 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SA2121 | NJSEMI |
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Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SA2121O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, 2-21F1A, 3 PIN, BIP Gen |
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| 2SA2121-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA2121O(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,15A I(C),TO-264VAR |
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| 2SA2121-R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General |
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| 2SA2121R(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,15A I(C),TO-264VAR |
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| 2SA2122 | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| 2SA2122G | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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