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2SA2012

更新时间： 2024-02-07 17:42:09

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安森美 - ONSEMI		晶体双极型晶体管 PC
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5页	81K
描述
Bipolar Transistor â30V, â5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP

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2SA2012 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SC-62, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	5 weeks	风险等级：	1.52
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-243	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2012 数据手册

2SA2012

-- V

--5.0

--4.5

--5

--4

--3

--2

=--2V

--4.0

--3.5

--90mA

--40mA

25°C

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--30mA

--20mA

--10mA

--1

--0.5

I =0mA

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

Collector to Emitter Voltage, V

-- V

IT00134

Base to Emitter Voltage, V

-- V

IT00136

-- I

1000

=--10V

=--2V

Ta=75°C

25°C

--25°C

100

5 7

--10

IT00148

--0.01

--0.1

--1.0

--10

IT00138

--0.01

--0.1

--1.0

Collector Current, I -- A

Cob -- V

(sat) -- I

--1000

f=1MHz

/ I =20

100

--100

25°C

--10

5 7

--0.1

--1.0

--10

-- V

--0.01

--0.1

--1.0

--10

IT00140

Collector to Base Voltage, V

IT00146

Collector Current, I -- A

(sat) -- I

--10

--1000

/ I =50

I / I =50

C B

--100

--1.0

Ta=--25°C

75°C

25°C

--10

--0.01

--0.1

--0.01

5 7

--10

IT00144

--0.1

--1.0

--0.1

--1.0

--10

IT00141

Collector Current, I -- A

No.6306-3/5

1 234 5

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