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2SA1886

更新时间: 2024-01-11 19:03:48
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其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 202K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR

2SA1886 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:1.2 pF集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):270
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):650 MHz
Base Number Matches:1

2SA1886 数据手册

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