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2SA1759_1

更新时间： 2024-11-25 04:25:51
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罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管闪光灯电话
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4页 69K
描述
High-voltage Switching Transistor (Camera strobes and Telephone, Power supply) (−400V, −0.1A)

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2SA1759_1 数据手册

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2SA1759  
Transistors  
High-voltage Switching Transistor  
(Camera strobes and Telephone, Power supply)  
(−400V, −0.1A)  
2SA1759  
z
(Unit : mm)  
Dimensions  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V)  
2) Low saturation voltage,  
MPT3  
4.5  
1.6  
1.5  
typically VCE (sat)= −0.2V at I  
C
/ IB = −20mA / −2mA.  
3) High switching speed, typically tf = 1µs at Ic =100mA.  
4) Wide SOA (safe operating area).  
5) Complements the 2SC4505.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
z
(Ta=25 C)  
Absolute maximum ratings  
°
Parameter  
Symbol  
Limits  
−400  
−400  
−7  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
−0.1  
−0.2  
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗1  
0.5  
Collector power dissipation  
P
C
W
2
∗2  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗
1 Single pulse, Pw=100ms  
2 When mounted on a 40  
∗
×40×0.7 mm ceramic board.  
z
(Ta=25 C)  
Symbol  
Electrical characteristics  
°
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−400  
−
−
−
−
−
−0.2  
−
−
12  
13  
0.7  
1.8  
1
−
−
−
−10  
−10  
−0.5  
−1.5  
180  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
−400  
−7  
−
−
−
−
82  
−
−
−
C
V
E
= −50µA  
CB= −400V  
EB= −6V  
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
V
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
CE(sat)  
I
I
C= −20mA, I  
B
B
= −2mA  
= −2mA  
= −10mA  
=10mA , f=5MHz  
=0A , f=1MHz  
VBE(sat)  
V
C= −20mA, I  
hFE  
−
V
V
V
CE= −10V , I  
CE= −10V , I  
CB= −10V , I  
C
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
E
E
Output capacitance  
Cob  
Turn-on time  
t
on  
I
I
C
= −100mA  
B1= −IB2= −10mA  
CC~ −150V  
RL=1.5kΩ  
Storage time  
t
stg  
−
−
Fall time  
t
f
V
Rev.B  
1/3  
1234

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