5秒后页面跳转
2SA1759T100NP PDF预览

2SA1759T100NP

更新时间: 2024-11-25 17:44:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1759T100NP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.67外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):12 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SA1759T100NP 数据手册

 浏览型号2SA1759T100NP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1759T100NP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1759T100NP的Datasheet PDF文件第4页 

与2SA1759T100NP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1759T100NQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1759T100P ROHM

获取价格

High-Coltage Switching Transistor
2SA1759T100Q ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1759T101/N ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1759T101/NP ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1759T101/NQ ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1759T101/P ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1759T101/PQ ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1759T101/Q ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1759T101N ROHM

获取价格

100mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR