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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 28 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1627AL-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA1627AL-X-T6C-K | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA1627AL-X-TM3-T | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA1627AL-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA1627AL-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SA1627G-T92-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| 2SA1627K | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 600V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SA1627-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, |
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| 2SA1627K-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1627K-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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