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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1627L-T-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1627M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
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| 2SA1627-M | RENESAS |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1627M-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1627M-T-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1630 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1630-11Q | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA1630-11R | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA1630-11T | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA1630-T11R | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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