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2SA1292

更新时间： 2024-02-24 03:19:33

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1292 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	80 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SA1292 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1292

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Low saturation voltage.

·Fast switching time.

·Complement to type 2SC3256

APPLICATIONS

·Various inductance, lamp drivers for

electrical equipment.

·Inverters, converters

·Power amplifier

·High-speed switching

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-60

Open collector

-5

-15

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-20

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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