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2SA1294

更新时间： 2024-02-29 12:27:34

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1294 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SA1294 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1294

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -230V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC3263

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-230

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-15

I_B

-4

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

130

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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