2SA1294

更新时间： 2024-11-27 22:38:39

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1294 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	230 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	35 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1294 数据手册

LAP T 2 S A1 2 9 4

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3263)

Application : Audio and General Purpose

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

External Dimensions MT-100(TO3P)

Unit

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

2SA1294

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.8

±0.4

15.6

±0.1

I^CBO

2.0

–230

VCB=–230V

–100max

–230min

50min

9.6

IEBO

–230

V^EB=–5V

IC=–25mA

V(BR)CEO

hFE

–5

±0.1

ø3.2

V^CE=–4V, IC=–5A

C=–5A, IB=–0.5A

–15

VCE(sat)

–2.0max

35typ

MHz

–4

130(Tc=25°C)

150

V^CE=–12V, IE=2A

°C

COB

500typ

V^CB=–10V, f=1MHz

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

Tstg

–55 +150

1.05

0.65

1.4

hFE Rank O(50 100), Y(70 140)

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

I^B2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–60

–5

–10

–500

500

0.35typ

1.50typ 0.30typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–15

–10

–5

– 3

–10

–5

–2

–1

–50mA

IC=–10A

I^B=–20mA

–5A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

–1

–2

–2.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

125˚C

Typ

100

25˚C

100

–30˚C

0.5

–0.02

0.1

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –15

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5 –1

Collector Current I^C(A)

–5 –10 –15

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

130

100

–40

–10

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

–0.1

Without Heatsink

3.5

0.02

–0.05

–3

–10

–100

–300

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current I^E(A)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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