2SA1227Q

更新时间： 2024-02-23 23:28:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Transistor

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2SA1227Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1227Q 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1227 2SA1227A

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

CONDITIONS

MIN

TYP.

-0.8

-1.5

MAX

-1.5

-2.0

-50

UNIT

I_C=-5A ;I_B=-0.5A

V_CB=-140V; I_E=0

V_EB=-3V; I_C=0

μA

I_EBO

-50

h_FE-1

h_{FE -2}

C_OB

I_C=-2A ; V_CE=-5V

I_C=-5A ; V_CE=-5V

I_E=0 ; V_CB=-10V;f=1MHz

I_C=-1A ; V_CE=-5V

320

DC current gain

Output capacitance

280

f_T

Transition frequency

MHz

h_FE-1classifications

60-120

100-200

160-320

123

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