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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1226E4 | ETC |
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BJT |
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| 2SA1226E4-A | RENESAS |
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30mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SA1226E4-L | RENESAS |
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2SA1226E4-L |
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| 2SA1226E4-T1B | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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| 2SA1226E4-T1B-A | RENESAS |
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30mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA1226E4-T2B | RENESAS |
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30mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA1226E4-T2B-A | RENESAS |
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30mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA1226-L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1226-LE2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| 2SA1226-LE3 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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