5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 2 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1226-LE4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
|
| 2SA1226-T1B | NEC |
获取价格 |
30mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
|
| 2SA1226-T1B-AT | RENESAS |
获取价格 |
2SA1226-T1B-AT |
|
| 2SA1226-T1BE2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
|
| 2SA1226-T1BE3 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
|
| 2SA1226-T1BE4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
|
| 2SA1226-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
|
| 2SA1227 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1227 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1227 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
