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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1191TZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| 2SA1193 | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
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| 2SA1193 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
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| 2SA1193(K) | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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| 2SA1193(K)RF | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1193(K)RF | RENESAS |
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500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1193(K)RR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA1193(K)TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MO |
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| 2SA1193K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
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| 2SA1193K | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
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