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2SA1194(K)

更新时间： 2024-02-16 11:19:38

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5页	34K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126

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2SA1194(K) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1194(K) 数据手册

2SA1194(K)

Silicon PNP Epitaxial

ADE-208-854 (Z)

1st. Edition

Sep. 2000

Application

High gain amplifier

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–60

–7

–1

Collector peak current

Collector power dissipation

I_C(peak)

–2

P_C

°C

P_C*¹

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value at T_C= 25°C

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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