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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 55 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1122CD01 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDTL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDTL | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1122CDTR | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SA1122CDTR-E | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDUL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA1122CDUL | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDUR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CDUR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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