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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.41 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1122CE | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1122CE | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1122CE01 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETL | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CEUR | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122-C-HF | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SA1122D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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