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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1122CE01 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETL | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETL | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122CETR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
|
| 2SA1122CETR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3 |
|
| 2SA1122CEUR | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 55V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SA1122-C-HF | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SA1122D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SA1122-D | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SA1122-D | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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