2SA1110

更新时间： 2024-01-21 14:13:10

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	170K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1110 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SA1110 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1110

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

h_FE-1

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

DC current gain

CONDITIONS

MIN

-120

-5

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-100μA;I_B=0

I_E=-10μA ;I_C=0

I_C=-0.3A ;I_B=-30mA

I_C=-150mA ; V_CE=-10V

I_C=-0.5A ; V_CE=-5V

I_E=0 ; V_CB=-10V;f=1MHz

I_C=-50mA ; V_CB=-10V,

-1.0

-1.2

330

h_FE-2

DC current gain

100

200

C_OB

Output capacitance

f_T

Transition frequency

MHz

h_FE-1Classifications

65-110

90-155

130-220 185-330

123 4

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