2SA0885Q

更新时间： 2024-02-15 23:28:58

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126

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2SA0885Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA0885Q 数据手册

2SA0885

Power Transistors

P_C T_a

I_C V_CE

I_C I_B

–1.5

–1.25

–1.0

–0.75

–0.5

–0.25

–1.2

–1.0

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

(1)With a 100×100×2mm

Al heat sink

(2)Without heat sink

T_C=25˚C

V_CE=–10V

T_C=25˚C

I_B=–10mA

–9mA

–8mA

–7mA

(1)

–6mA

–5mA

–4mA

–3mA

(2)

–2mA

–1mA

20 40 60 80 100120140160180200

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–4

–6

–8

–10 –12

(

)

( )

(

)

Ambient temperature T_a˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat) I_C

V_BE(sat) I_C

h_FE I_C

–10

1000

I_C/I_B=10

V_CE=–10V

25˚C

I_C/I_B=10

T_C=100˚C

–3

–1

–3

–1

300

100

T_C=–25˚C

–25˚C

100˚C

25˚C

–0.3

–0.1

–0.3

–0.1

T_C=100˚C

25˚C

–25˚C

–0.03

–0.01

–0.03

–0.01

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

–0.01 –0.03

–0.1

–0.3

–1

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

f_T I_E

C_ob V_CB

V_CER R_BE

200

180

160

140

120

100

–100

–80

–60

–40

–20

I_C=–10mA

T_C=25˚C

V_CB=–10V

f=200MHz

T_C=25˚C

I_E=0

f=1MHz

T_C=25˚C

–1

100

–3

–10

–30

–100

0.1 0.3

100

(

)

( )

(

)

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

Base to emitter resistance R_BEkΩ

123 4

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