2SA0838

更新时间： 2024-02-08 02:45:19

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Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA0838 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA0838 数据手册

Transistor

2SA838

P_C— Ta

I_C— V_CE

V_CE(sat)— I_C

500

450

400

350

300

250

200

150

100

–30

–25

–20

–15

–10

–5

–100

I_C/I_B=10

Ta=25˚C

–30

–10

I_B=–250µA

–3

–1

–200µA

–150µA

Ta=75˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

–100µA

–50µA

–25˚C

– 0.03

– 0.01

120

160

200

)

–2

–4

–6

–8

–10

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

(

)

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Collector current I_CmA

h_FE— I_C

C_ob— V_CB

C_re— V_CE

–120

–100

–80

–60

–40

–20

f=1MHz

I_E=0

Ta=25˚C

V_CE=–10V

I_C=–1mA

f=10.7MHz

Ta=25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

–1

–3

–10

–30

–100

(

)

(

)

( )

Collector to emitter voltage V_CEV

Collector current I_CmA

Collector to base voltage V_CB

f_T— I_E

PG — I_C

NF — I_E

600

500

400

300

200

100

V_CE=–10V

f=100MHz

Ta=25˚C

V_CB=–10V

f=100MHz

Ta=25˚C

V_CB=–10V

Ta=25˚C

0.1

0.3

100

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10 –30 –100

0.1

0.3

(

)

(

)

(

)

Emitter current I_EmA

Collector current I_CmA

Emitter current I_EmA

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