2PB1424

更新时间： 2024-11-26 21:55:19

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
11页	70K
描述
20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

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2PB1424 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	PLASITC, TO-243, SC-62, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

2PB1424 数据手册

2PB1424

20 V, 3 A PNP low V_CEsat(BISS) transistor

Rev. 01 — 2 May 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/

TO-243) SMD plastic package.

NPN complement: 2PD2150.

1.2 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage V_CEsat

■ High collector current capability: I_Cand I_CM

■ High collector current gain (h_FE) at high I_C

■ High efﬁciency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

1.3 Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol Parameter

V_CEOcollector-emitter voltage open base

I_CM

Quick reference data

Conditions

Min

Typ

Max

−20

−3

Unit

peak collector current

DC current gain

single pulse;

t_p≤ 1 ms

h_FE

V_CE= −2 V;

I_C= −0.1 A

180

390

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2PB1AA1SOEMD	WINCHESTER	获取价格	Board Connector, 30 Contact(s), 5 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Press Fit Term
2PB2AA1SOEMD	WINCHESTER	获取价格	Board Connector, 60 Contact(s), 5 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Press Fit Term
2PB3AA1SOEMD	WINCHESTER	获取价格	Board Connector, 120 Contact(s), 5 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Press Fit Ter
2PB3AA3SOEMD	WINCHESTER	获取价格	Board Connector, 120 Contact(s), 5 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Press Fit Ter
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2PB709A	NXP	获取价格	PNP general purpose transistor
2PB709A	KEXIN	获取价格	SILICON SWICHING DIODE
2PB709A	TYSEMI	获取价格	Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V).Collector-base voltage VCBO -45 V

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