2N7002T-7

更新时间： 2024-01-03 18:44:05

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5页	112K
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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2N7002T-7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.93	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	13.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002T-7 数据手册

2N7002T

1.0

0.9

= 10V

= 7.0V

0.8

0.7

0.6

= 6.0V

= 5.0V

= 3.0V

= 4.0V

0.5

0.4

= 4.0V

0.3

0.2

0.1

= 3.0V

= 2.5V

= 10V

= 7.0V

= 6.0V

= 5.0V

0.6

0.2

0.4

1.0

0.8

I_D, DRAIN-SOURCE CURRENT (A)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Fig. 2 On-Resistance Variation with Gate Voltage

and Drain-Source Current

Fig. 1 On-Region Characteristics

3.0

2.5

2.0

2.5

2.0

= 250µA

= 10V

= 500mA

1.5

1.0

1.5

1.0

0.5

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (

Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature

-50

-50 -25

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (

Fig. 3 Gate Threshold Variation with Temperature

-25

125

100 125 150

100

150

5.0

4.5

f = 1MHz

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

I_D= 50mA

iss

1.5

1.0

0.5

oss

rss

V_GS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Fig. 6 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig. 5 Typical Capacitance

3 of 5

www.diodes.com

April 2012

2N7002T

Document number: DS30301 Rev. 14 - 2

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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