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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.115 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7002T-7-F | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2N7002TB | PANJIT | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N7002TC | DIODES | 115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2N7002T-C | SECOS | N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS |
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| 2N7002TG-AN3-R | UTC | 300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N7002TL-AN3-R | UTC | 300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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