2N7002GP-A

更新时间： 2024-02-16 22:00:18

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Small Signal Field-Effect Transistor,

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2N7002GP-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002GP-A 数据手册

RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2N7002DSPT )

Typical Electrical Characteristics (continued)

1.16

1.12

1.08

1.04

1.5

I _D= 250µA

V_GS= 0V

0.5

= 125°C

25°C

0.1

-55°C

0.01

0.96

0.92

0.88

0.001

-50

-25

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 7. Breakdown Voltage Variation with

Temperature.

Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation

with Current and Temperature.

100

V_DS= 25V

I_D= 0.51A

iss

oss

rss

f = 1 MHz

V_GS= 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.2

0.5

, GATE CHARGE (nC)

, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 9. Capacitance Characteristics.

Figure 10. Gate Charge Characteristics.

0.7

V_DS= 10V

= -55°C

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

25°C

125°C

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Transconductance Variation with Drain

Current and Temperature.

1 2 345

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