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2N7000RLRPG PDF预览

2N7000RLRPG

更新时间： 2024-01-26 21:06:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS

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2N7000RLRPG 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-226AAJESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2N7000RLRPG 数据手册

 浏览型号2N7000RLRPG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7000RLRPG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7000RLRPG的Datasheet PDF文件第4页 
2N7000  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 0, I = 10 mAdc)  
V
(BR)DSS  
60  
−
Vdc  
GS  
D
I
DSS  
(V = 48 Vdc, V = 0)  
−
−
1.0  
1.0  
mAdc  
mAdc  
DS  
GS  
(V = 48 Vdc, V = 0, T = 125°C)  
DS  
GS  
J
Gate−Body Leakage Current, Forward  
(V  
= 15 Vdc, V = 0)  
I
GSSF  
−
−10  
nAdc  
GSF  
DS  
ON CHARACTERISTICS (Note 1)  
Gate Threshold Voltage  
(V = V , I = 1.0 mAdc)  
V
0.8  
3.0  
Vdc  
DS  
GS  
D
GS(th)  
Static Drain−Source On−Resistance  
r
W
DS(on)  
(V = 10 Vdc, I = 0.5 Adc)  
−
−
5.0  
6.0  
GS  
D
(V = 4.5 Vdc, I = 75 mAdc)  
GS  
D
Drain−Source On−Voltage  
V
Vdc  
DS(on)  
(V = 10 Vdc, I = 0.5 Adc)  
−
−
2.5  
0.45  
GS  
D
(V = 4.5 Vdc, I = 75 mAdc)  
GS  
D
On−State Drain Current  
(V = 4.5 Vdc, V = 10 Vdc)  
I
d(on)  
75  
−
−
mAdc  
GS  
DS  
Forward Transconductance  
(V = 10 Vdc, I = 200 mAdc)  
g
fs  
100  
mmhos  
DS  
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
C
−
−
−
60  
25  
pF  
ns  
iss  
(V = 25 V, V = 0,  
DS  
GS  
Output Capacitance  
C
oss  
f = 1.0 MHz)  
Reverse Transfer Capacitance  
C
rss  
5.0  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 1)  
Turn−On Delay Time  
t
t
−
−
10  
10  
on  
off  
(V = 15 V, I = 500 mA,  
DD  
D
R
G
= 25 W, R = 30 W, V  
= 10 V)  
L
gen  
Turn−Off Delay Time  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
2N7000  
Package  
Shipping  
TO−92  
1000 Units / Bulk  
1000 Units / Bulk  
2N7000G  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N7000RLRA  
TO−92  
2000 Tape & Reel  
2000 Tape & Reel  
2N7000RLRAG  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N7000RLRM  
TO−92  
2000 Tape & Ammo Box  
2000 Tape & Ammo Box  
2N7000RLRMG  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N7000RLRP  
TO−92  
2000 Tape & Ammo Box  
2000 Tape & Ammo Box  
2N7000RLRPG  
TO−92  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N7000T/R ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92VAR

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