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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 29-11, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7000ZL-T92-B | UTC |
获取价格 |
115m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 2N7000ZL-T92-K | UTC |
获取价格 |
115m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 2N7000ZL-T92-R | UTC |
获取价格 |
115m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| 2N7001K | BL Galaxy Electrical |
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0.3A, 60V, 0.36W, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| 2N7001T | TI |
获取价格 |
1 位双电源缓冲电压信号转换器 |
|
| 2N7001TDCKR | TI |
获取价格 |
1 位双电源缓冲电压信号转换器 | DCK | 5 | -40 to 125 |
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| 2N7001TDPWR | TI |
获取价格 |
1 位双电源缓冲电压信号转换器 | DPW | 5 | -40 to 125 |
|
| 2N7001T-Q1 | TI |
获取价格 |
汽车类 1 位双电源缓冲电压信号转换器 |
|
| 2N7001TQDCKRQ1 | TI |
获取价格 |
汽车类 1 位双电源缓冲电压信号转换器 | DCK | 5 | -40 to 125 |
|
| 2N7002 | VISHAY |
获取价格 |
DMOS Transistors (N-Channel) |
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