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2N7000TA

更新时间： 2024-02-23 20:30:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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3页 86K
描述
Advanced Small Signal MOSFET

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2N7000TA 数据手册

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2N7000BU/2N7000TA  
Advanced Small Signal MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 60 V  
RDS(on) = 5.0 Ω  
ID = 200 mA  
n Fast Switching Times  
n Improved Inductive Ruggedness  
n Lower Input Capacitance  
n Extended Safe Operating Area  
n Improved High Temperature Reliability  
TO-92  
1.Source 2. Gate 3. Drain  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
60  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current (TC=25℃)  
Continuous Drain Current (TC=100℃)  
Drain Current-Pulsed  
200  
110  
1000  
±30  
400  
3.2  
mA  
ID  
IDM  
①
mA  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Total Power Dissipation (TC=25℃)  
Linear Derating Factor  
mW  
PD  
TJ , TSTG  
TL  
mW/℃  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
℃
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
℃/W  
RθJA  
312.5  
Rev. B  
123

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