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2N7000Z

更新时间： 2024-02-14 11:12:13

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3页	151K
描述
115m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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2N7000Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000Z 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2N7000Z

Power MOSFET

115m Amps, 60 Volts

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 2N7000Z has been designed to minimize on-state

resistance to provide rugged, reliable, and fast switching

performance. It can be used in most applications requiring up to

400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. The product is

particularly suited for low voltage, low current applications, such as

small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other

switching applications

TO-92

FEATURES

*High density cell design for low R_DS(ON)

*Voltage controlled small signal switch

*Rugged and reliable

*High saturation current capability

SYMBOL

3.Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

2N7000ZG-T92-B

2N7000ZG-T92-K

2N7000ZG-T92-R

2N7000ZL-T92-B

2N7000ZL-T92-K

2N7000ZL-T92-R

TO-92

Tape Box

Bulk

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-535.a

12 3

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