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2N7000KLE3

更新时间： 2024-01-04 06:24:21

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威世 - VISHAY		/
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5页	97K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2N7000KLE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.47 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

2N7000KLE3 数据手册

2N7000KL/BS170KL

New Product

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

On-Resistance vs. Drain Current

Capacitance

4.0

= 0 V

3.5

3.0

2.5

iss

= 4.5 V

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

= 10 V

oss

rss

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

− Drain Current (mA)

− Drain-to-Source Voltage (V)

Gate Charge

On-Resistance vs. Junction Temperature

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

= 10 V

= 10 V @ 500 mA

= 250 mA

= 4.5 V

@ 200 mA

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

−50 −25

100 125 150

− Total Gate Charge (nC)

− Junction Temperature (_C)

Source-Drain Diode Forward Voltage

On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

1000

100

= 0 V

T = 125_C

= 500 mA

T = 25_C

= 200 mA

T = −55_C

0.00

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

− Source-to-Drain Voltage (V)

− Gate-to-Source Voltage (V)

Document Number: 72705

S-40247—Rev. A, 16-Feb-04

www.vishay.com

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